پایان نامه

 

مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

---

بخشی از متن مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf :

سال انتشار: 1389

محل انتشار: هفدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران

تعداد صفحات: 4

نویسنده(ها):

هاجر کاویانی باغبادرانی – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری – پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
مولود کاویانی باغبادرانی – دانشگاه الزهرا

چکیده:

دراین مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونی و همچنین برپذیرفتاری غیرخطی مرتبه سوم در ساختار ورتسایت نقطه کوانتمی I مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf Ga1-xN/GaN با حل معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر و با روش بسط موج تخت بررسی می شود همچنین ترازهای انرژی و پذیرفتاری غیرخطی نوری مرتبه سوم به ترتیب برحسب پارامتر ساختاری طوی پایه b و انرژی فوتون پمپ شده با و بدون میدان الکتریکی بستگی قوی محاسبه شده است نتایج عددی نشان میدهد که میدان الکتریکی بستگی قوی و همچنین تغییرات اندازه QD برحالتهای الکترونی و خواص نوری نقطه کوانتمی I مقاله اثر میدان الکتریکی بستگی برحالتهای الکترونیکی و پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم در نقطه کوانتمی مکعبی ورتسایت InGaN/GaN با اندازه های مختلف تحت pdf Ga1-xN/GaN تاثیر بسیار مهمی دارد.

 

کلمات کلیدی :